455-0036/01 – Výroba mikroelektronických prvků (VMP)
| Garantující katedra | Katedra měřicí a řídicí techniky | Kredity | 4 |
| Garant předmětu | doc. Ing. Milan Hutyra, CSc. | Garant verze předmětu | doc. Ing. Milan Hutyra, CSc. |
| Úroveň studia | pregraduální nebo graduální | Povinnost | povinně volitelný |
| Ročník | | Semestr | letní |
| | Jazyk výuky | čeština |
| Rok zavedení | 1992/1993 | Rok zrušení | 2002/2003 |
| Určeno pro fakulty | FEI | Určeno pro typy studia | magisterské |
Cíle předmětu vyjádřené dosaženými dovednostmi a kompetencemi
Poskytnout posluchačům základní informace o technologických postupech využívaných při výrobě mikroelektronických prvků (integrované obvody, mikroelektronické senzory)
Vyučovací metody
Anotace
Poskytnout posluchačům základní informace o technologických postupech využívaných při výrobě mikroelektronických prvků (integrované obvody, mikroelektronické senzory) .
Zavedení mikrotechnologických postupů znamenalo zásadní změnu při vývoji a rozvoji nové generace prvků jak pro zpracování elektrického signálu, tak mikroelektronických senzorů.
Předmět je věnován oblastem:
-základní struktury monolitických integrovaných obvodů,
-příprava materiálů používaných při výrobě mikroelektronických prvků,
-základní technologické postupy používané při výrobě čipů mikroelektronických prvků,
-montáž čipů mikroelektronických součástek do pouzder,
-zajišťování spolehlivosti vyráběných prvků
Povinná literatura:
Matějka, Brzobohatý:Technologie mikroelektronických obvodů (skriptum VUT FEI Brno 1984)
Matějka, Brzobohatý:Technologie materiálů (skriptum VUT FEI Brno 1984)
Musil a kol. :Technologické procesy a jejich modelování (skriptum VUT FEI Brno 1989)
Mach , Skočil, Urbánek: Montáž v elektronice. Pouzdření aktivních součástek, plošné spoje. vydavatelství ČVUT Praha 2001)
Těchnologija SBIS 1a2, Moskva "Mir"1986 (překlad z angličtiny VLSI Technology-edited by S.M.Sze,McGraw-Hill Book Comp.1983)
A.S.Grove :Physics and Technology of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons Inc. 1967
S.Wolf, R.N.Tauber : Silicon Processing for VLSI ERA -Process technology, , Lattice Press 1990
Doporučená literatura:
Od křemene ku křemíku (výroba křemíkových substrátů), školící materiál Tesla Sezam, a.s. na CD, 2001
Bipolární technologie (princip a výroba bipolárních integovaných obvodů), školící materiál Tesla Sezam, a.s.na CD, 2001
Forma způsobu ověření studijních výsledků a další požadavky na studenta
E-learning
Další požadavky na studenta
Prerekvizity
Předmět nemá žádné prerekvizity.
Korekvizity
Předmět nemá žádné korekvizity.
Osnova předmětu
Přednášky:
Postavení a úloha technologie při výrobě mikroelektronických součástek. Základní rozdělení mikroelektronických postupů. Mikroelektronické technologie na bázi Si. Základy fyziky polovodičů.
Základní struktury monolitických integrovaných obvodů. Bipolární technologie planárně epitaxní, izoplanární ,CDI . Unipolární technologie, CMOS technologie. Technologie BiCMOS
Materiály pro výrobu mikroelektronických prvků, dočišťování pro účely použití v polovodičovém průmyslu. Čisté prostory.
Vlastnosti a technologie přípravy polovodičových materiálů. Výroba polykrystalu a monokrystalu Si. Výroba křemíkových substrátů určených pro výrobu IO.
Základní technologické procesy vytváření struktur mikroelektronických součástek. Fyzikální a chemické metody přípravy tenkých vrstev.
Epitaxní růst. Depozice CVD.
Metody dotování vrstev. Termická difuze, iontová implantace.
Metody tvarování vrstev. Litografické techniky.
Chemické metody leptání vrstev. Plasmatické a iontové leptání vrstev.
Měření ve výrobě struktur polovodičových součástek. Mezioperační měření. Měření testovacích struktur. Hrotové měření čipů polovodičových součástek.
Montáž systémů integrovaných obvodů do pouzder. Pouzdření na úrovní čipů. Pouzdření na úrovni multičipových modulů
Zajišťování spolehlivosti mikroelektronických součástek . Třídíci postupy. Ověřování spolehlivosti.
Metodologie návrhu IO. Modelování prvků. Modelování procesů.
Technologie výroby mikroelekronických senzorů.
Laboratoře:
Základní výpočty z fyziky polovodičů: počet atomů v jednotce objemu, koncentrace elektronů a děr, měrný odpor polovodiče.
Základy výpočty z fyziky polovodičů: poloha Fermiho hladiny, pohyblivost nosičů.
Měření základních fyzikálních vlastností polovodičů
Odborné časopisy z oblasti technologie výroby mikroelektronických prvků
Odborné časopisy z oblasti technologie výroby mikroelektronických prvků - pokračování.
Školící materiály Tesla Sezam - Od křemene ku křemíku
Školící materiál Tesla Sezam - Bipolární technologie část I
Školící materiál Tesla Sezam - Bipolární technologie část II
9.-14. Exkuze v Tesla Sezam na pracoviště výroby čipů IO a na montáž polovodičových prvků. (Realizováno jako soustředěna výuka ke konci semestru)
Podmínky absolvování předmětu
Výskyt ve studijních plánech
Výskyt ve speciálních blocích
Hodnocení Výuky
Předmět neobsahuje žádné hodnocení.